Giáo sư Milton Feng, trưởng khoa kỹ thuật điện và máy tính, người đã chủ trì đề án phát triển bóng bán dẫn tốc độ cao từ năm 15, cho biết : “ Sự tiến bộ liên tục về tốc độ của bóng bán dẫnlưỡng cực phụ thuộc rất nhiều vào tỷ lệ của cấu trúc lớp nếu muốn giảm bớt thời gian truyền qua chất dẫn. Tuy nhiên, điiều đó sẽ gây ra sự tốn kém chi phí như khi tăng điện dung của đầu nhận (Collector). Để bù đắp cho tác động không mong muốn này, chúng tôi đẫ sử dụng cách phân chia song song của cả đầu phát (emitter) lẫn đầu nhận.
Khác với những loại bóng bán dẫn truyền thống vốn được xây dựng từ Silicon và germanium, thiết bị của trường Illinois được thiết kế từ chất indi phosphide (phốt-phua) và indi gali áenit. Sự kết hợp vật liệu này chính là bí quyết làm tăng tốc độ truyền tín hiệu so với hợp chất silicon germanium và do đó hỗ trợ mật độ truyền dẫn cao hơn nhiều.
Với những cấu kiện nhỏ hơn, loại bóng bán dẫn mới có thể nạp và nhả tín hiệu nhanh hơn, từ đó tạo ra sự đột biến về tốc độ. Mục tiêu phấn đấu tiếp theo của nhóm nghiên cứu là chế tạo bóng bán dẫn với tần số 1 TErahertz (1.000 Gigahertz)
